STD7NM50N-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD7NM50N-1概述

N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

通孔 N 通道 5A（Tc） 45W（Tc） I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK

STD7NM50N-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 400pF @50VVds

额定功率Max 45 W

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD7NM50N-1

型号： STD7NM50N-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.70ヘ - 5A - TO- 220 - TO- 220FP - IPAK - DPAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

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替代型号STD7NM50N-1

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