STD5NK52ZD-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD5NK52ZD-1概述

N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

N-Channel 520V 4.4A Tc 70W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK

STD5NK52ZD-1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 70W Tc

漏源极电压Vds 520 V

输入电容Ciss 529pF @25VVds

额定功率Max 70 W

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD5NK52ZD-1

型号： STD5NK52ZD-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

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