STP6NC60参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP6NC60概述

N沟道600V - 1欧姆 - 6A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET

N-Channel 600V 6A Tc 125W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

Win Source:
N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESHII MOSFET

STP6NC60中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 1020pF @25VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP6NC60

型号： STP6NC60

描述：N沟道600V - 1欧姆 - 6A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET

替代型号STP6NC60

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STP6NC60 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
2SK2661 东芝	功能相似	STP6NC60和2SK2661的区别
2SK893 东芝	功能相似	STP6NC60和2SK893的区别
STP5NC50 意法半导体	功能相似	STP6NC60和STP5NC50的区别