N沟道55V - 0.005欧姆-120A DPAK / TO- 220 / TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET
N-Channel 55V 120A Tc 300W Tc Through Hole TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
贸泽:
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 120A
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A D²PAK/TO-220/TO-247 STripFET™ II POWER MOSFET
通道数 1
漏源极电阻 6 mΩ
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
下降时间 80 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW150NF55 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB140NF75T4 意法半导体 | 功能相似 | STW150NF55和STB140NF75T4的区别 |
STP80NF55-06 意法半导体 | 功能相似 | STW150NF55和STP80NF55-06的区别 |
STP9NK90Z 意法半导体 | 功能相似 | STW150NF55和STP9NK90Z的区别 |