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STV160NF03LAT4概述

N-CH 30V 160A

表面贴装型 N 通道 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 160A 10POWERSO

STV160NF03LAT4中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 2.10 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 210W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 160 A

输入电容Ciss 5350pF @25VVds

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerSO-10

外形尺寸

封装 PowerSO-10

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STV160NF03LAT4

型号： STV160NF03LAT4

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N-CH 30V 160A

替代型号STV160NF03LAT4

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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