STI16NM50N

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STI16NM50N概述

N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP

通孔 N 通道 15A(Tc) 125W(Tc) I2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK


STI16NM50N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 15A

输入电容Ciss 1200pF @50VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI16NM50N
型号: STI16NM50N
描述:N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FP
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