STI23NM60N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI23NM60N概述

N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

通孔 N 通道 600 V 19A（Tc） 150W（Tc） I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

贸泽:
MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

STI23NM60N中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 2050pF @50VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买STI23NM60N

型号： STI23NM60N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

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