SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
N-Channel 100V 35A Tc 150W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3-2
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB35N10 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPI35N10 英飞凌 | 功能相似 | SPB35N10和SPI35N10的区别 |