的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 23.0 ns
输入电容Ciss 2530pF @25VVds
额定功率Max 150 W
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
封装 TO-263-3-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB80N03S2L-06 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPB80P06P G 英飞凌 | 功能相似 | SPB80N03S2L-06和SPB80P06P G的区别 |
STP75N3LLH6 意法半导体 | 功能相似 | SPB80N03S2L-06和STP75N3LLH6的区别 |
STP130NS04ZB 意法半导体 | 功能相似 | SPB80N03S2L-06和STP130NS04ZB的区别 |