SPB100N08S2L-07参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPB100N08S2L-07概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

N-Channel 75V 100A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 / N-Channel 75 V 100A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

SPB100N08S2L-07中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 100 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 7.13 nF

栅电荷 246 nC

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 100 A

输入电容Ciss 7130pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPB100N08S2L-07

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

替代型号SPB100N08S2L-07