SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 3-Pin2+Tab DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 10.5 A
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10.5 A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD11N10 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STP80NF10 意法半导体 | 功能相似 | SPD11N10和STP80NF10的区别 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | SPD11N10和STD18N55M5的区别 |
SPA04N80C3 英飞凌 | 功能相似 | SPD11N10和SPA04N80C3的区别 |