SPB10N10参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPB10N10概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

N-Channel 100V 10.3A Tc 50W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK

SPB10N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.3 A

极性 N-CH

耗散功率 50W Tc

输入电容 426 pF

栅电荷 19.4 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

输入电容Ciss 426pF @25VVds

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPB10N10

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor