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SPB80N10L图片1

SPB80N10L概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

SPB80N10L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 250W Tc

输入电容 4.54 nF

栅电荷 240 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 4540pF @25VVds

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPB80N10L

型号： SPB80N10L

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPB80N10L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPB80N10L Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
SPP80N10L 英飞凌	完全替代	SPB80N10L和SPP80N10L的区别
SPI80N10L 英飞凌	完全替代	SPB80N10L和SPI80N10L的区别
SPB80N10LG 英飞凌	完全替代	SPB80N10L和SPB80N10LG的区别