SPD30N03S2L-10概述
的OptiMOS功率三极管特性N沟道增强模式 OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode
表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
SPD30N03S2L-10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 10.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买SPD30N03S2L-10
型号： SPD30N03S2L-10
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：的OptiMOS功率三极管特性N沟道增强模式 OptiMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode