SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
N-Channel 100V 10.3A Tc 50W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2
得捷:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
额定电压DC 100 V
额定电流 10.3 A
极性 N-CH
耗散功率 50W Tc
输入电容 444 pF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 10.3 A
输入电容Ciss 444pF @25VVds
额定功率Max 50 W
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB10N10L Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPP10N10L 英飞凌 | 完全替代 | SPB10N10L和SPP10N10L的区别 |
SPB10N10LG 英飞凌 | 功能相似 | SPB10N10L和SPB10N10LG的区别 |