SPI100N03S2-03概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
通孔 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3
SPI100N03S2-03中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 A
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
输入电容 7.02 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100 A
输入电容Ciss 7020pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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