SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
表面贴装型 P 通道 60 V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
贸泽:
MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -30.0 A
极性 P-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1535pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD30P06P Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFU5305PBF 英飞凌 | 功能相似 | SPD30P06P和IRFU5305PBF的区别 |
MTB30P06VT4G 安森美 | 功能相似 | SPD30P06P和MTB30P06VT4G的区别 |
SPU30P06P 英飞凌 | 功能相似 | SPD30P06P和SPU30P06P的区别 |