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SPB21N10概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

SPB21N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 21.0 A

极性 N-CH

耗散功率 90W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 21A

输入电容Ciss 865pF @25VVds

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPB21N10

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor