SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
通孔 N 通道 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 35A I2PAK-3
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150 W
输入电容 1.57 nF
栅电荷 65.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI35N10 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPB35N10 英飞凌 | 功能相似 | SPI35N10和SPB35N10的区别 |
SPD35N10 英飞凌 | 功能相似 | SPI35N10和SPD35N10的区别 |