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SPI42N03S2L-13概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 42A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 42A TO262-3

Win Source:
OptiMOS Power-Transistor

SPI42N03S2L-13中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 42.0 A

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

输入电容 1.13 nF

栅电荷 30.5 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 42.0 A

输入电容Ciss 1130pF @25VVds

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPI42N03S2L-13

型号： SPI42N03S2L-13

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

替代型号SPI42N03S2L-13

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SPI42N03S2L-13

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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