SPD26N06S2L-35参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SPD26N06S2L-35图片1

SPD26N06S2L-35图片2

SPD26N06S2L-35概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11

得捷:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Win Source:
OptiMOS Power-Transistor

SPD26N06S2L-35中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 30.0 A

极性 N-CH

耗散功率 68W Tc

输入电容 790 pF

栅电荷 24.0 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 790pF @25VVds

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPD26N06S2L-35

型号： SPD26N06S2L-35

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

替代型号SPD26N06S2L-35

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SPD26N06S2L-35

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPD26N06S2L-35

英飞凌

类似代替

SPD26N06S2L-35和IPD26N06S2L-35的区别