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SPI47N10图片1

SPI47N10概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3

SPI47N10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 47.0 A

极性 N-CH

耗散功率 175W Tc

输入电容 2.50 nF

栅电荷 105 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 47.0 A

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

耗散功率Max 175W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPI47N10

型号： SPI47N10

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPI47N10

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SPI47N10

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IPB47N10S-33

英飞凌

功能相似

SPI47N10和IPB47N10S-33的区别