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SPB08P06P概述

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

表面贴装型 P 通道 60 V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3

SPB08P06P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.80 A

极性 P-CH

耗散功率 42W Tc

输入电容 420 pF

栅电荷 15.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

输入电容Ciss 420pF @25VVds

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPB08P06P

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor