的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 55 V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3-11
得捷:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin2+Tab DPAK
Win Source:
OptiMOS Power-Transistor
额定电压DC 55.0 V
额定电流 30.0 A
极性 N-CH
耗散功率 100W Tc
输入电容 1.39 nF
栅电荷 42.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1390pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD30N06S2L-23 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD30N06S2L-23 英飞凌 | 类似代替 | SPD30N06S2L-23和IPD30N06S2L-23的区别 |