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SPD30N08S2L-21概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11

得捷:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Win Source:
MOSFET N-CH 75V 30A DPAK

SPD30N08S2L-21中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定电流 30.0 A

极性 N-CH

耗散功率 136W Tc

输入电容 2.13 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 2130pF @25VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： SPD30N08S2L-21

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor