的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 7.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 136 W
输入电容 2.17 nF
栅电荷 46.5 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 36 ns
输入电容Ciss 2170pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 136W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD50N03S2-07 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD50N03S2-07G 英飞凌 | 功能相似 | SPD50N03S2-07和SPD50N03S2-07G的区别 |