SPI80N03S2L-04参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPI80N03S2L-04概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3 / N-Channel 30 V 80A Tc 188W Tc Through Hole PG-TO262-3-1

SPI80N03S2L-04中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 188W Tc

输入电容 3.90 nF

栅电荷 105 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 188W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SPI80N03S2L-04

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor