SPI80N03S2L-06概述
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
通孔 N 通道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
SPI80N03S2L-06中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
输入电容 2.53 nF
栅电荷 68.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 2530pF @25VVds
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
外形尺寸
封装 TO-262-3-1
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SPI80N03S2L-06
替代型号SPI80N03S2L-06
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI80N03S2L-06 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STP75NS04Z 意法半导体 | 功能相似 | SPI80N03S2L-06和STP75NS04Z的区别 |
KU054N03D KEC株式会社 | 功能相似 | SPI80N03S2L-06和KU054N03D的区别 |