SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor
表面贴装型 N 通道 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 7A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 7A DPAK-2
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 7A TO-252
额定电压DC 200 V
额定电流 7.00 A
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 40 W
阈值电压 3 V
输入电容 530 pF
栅电荷 31.5 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD07N20 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD07N20G 英飞凌 | 功能相似 | SPD07N20和SPD07N20G的区别 |