SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
N-Channel 100V 80A Tc 250W Tc Through Hole PG-TO262-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-262
Win Source:
SIPMOS Power-Transistor
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
输入电容 4.54 nF
栅电荷 240 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 4540pF @25VVds
下降时间 20 ns
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3-1
封装 TO-262-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI80N10L Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPP80N10L 英飞凌 | 完全替代 | SPI80N10L和SPP80N10L的区别 |
SPB80N10L 英飞凌 | 完全替代 | SPI80N10L和SPB80N10L的区别 |
SPB80N10LG 英飞凌 | 完全替代 | SPI80N10L和SPB80N10LG的区别 |