SPB80N10L G

SPB80N10L G图片1
SPB80N10L G图片2
SPB80N10L G图片3
SPB80N10L G概述

Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3Pin2+Tab TO-263

表面贴装型 N 通道 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab TO-263


SPB80N10L G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

耗散功率 250 W

输入电容 4.54 nF

栅电荷 240 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 4540pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPB80N10L G
型号: SPB80N10L G
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3Pin2+Tab TO-263

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司