酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
N-Channel 650V 700mA Ta 1.8W Ta Surface Mount PG-SOT223-4
得捷:
MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 700mA SOT-223-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.7A; SOT223; CoolMOS™
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
额定电压DC 650 V
额定电流 700 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
输入电容 400 pF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 700 mA
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPN03N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |