的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
通孔 N 通道 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 190W Tc
输入电容 3.14 nF
栅电荷 80.0 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 3140pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPP80N06S2-09 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPA07N60C3 英飞凌 | 功能相似 | SPP80N06S2-09和SPA07N60C3的区别 |
HUF75339P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | SPP80N06S2-09和HUF75339P3的区别 |
STW20N65M5 意法半导体 | 功能相似 | SPP80N06S2-09和STW20N65M5的区别 |