SPB80N06S2L-H5参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SPB80N06S2L-H5概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

SPB80N06S2L-H5中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

输入电容 6.64 nF

栅电荷 190 nC

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

输入电容Ciss 6640pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3-2

外形尺寸

封装 TO-263-3-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPB80N06S2L-H5

型号： SPB80N06S2L-H5

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

替代型号SPB80N06S2L-H5

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPB80N06S2L-H5 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
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