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SP8K2TB概述

SP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

立创商城:
2个N沟道 30V 6A

富昌:
SP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOP T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

SP8K2TB中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 6.00 A

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 21.0 ns

输入电容Ciss 520pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SP8K2TB引脚图与封装图

在线购买SP8K2TB

型号： SP8K2TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SP8K2 系列 30 V 6 A 30 mOhm 表面贴装双 N 沟道 Mosfet - SOIC-8

替代型号SP8K2TB

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SP8K2TB ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
AO4800B 万代半导体	功能相似	SP8K2TB和AO4800B的区别
SP8K2FU6TB 罗姆半导体	功能相似	SP8K2TB和SP8K2FU6TB的区别
DMS3017SSD-13 美台	功能相似	SP8K2TB和DMS3017SSD-13的区别