SH8J65TB1

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SH8J65TB1概述

MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 7A 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V ±7A 8-Pin SOP T/R


DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8


Win Source:
MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8


SH8J65TB1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1200pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 65 ns

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SH8J65TB1引脚图与封装图
SH8J65TB1引脚图
SH8J65TB1封装图
SH8J65TB1封装焊盘图
在线购买SH8J65TB1
型号: SH8J65TB1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8
替代型号SH8J65TB1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SH8J65TB1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

SP8J65TB1

罗姆半导体

完全替代

SH8J65TB1和SP8J65TB1的区别

AO4813

万代半导体

功能相似

SH8J65TB1和AO4813的区别

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