SH8M4TB1

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SH8M4TB1概述

4V驱动NchPch MOSFET 4V Drive NchPch MOSFET

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A,7A 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC


贸泽:
MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 9A/-7A; MOSFET


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC


SH8M4TB1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1190pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SH8M4TB1
型号: SH8M4TB1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:4V驱动NchPch MOSFET 4V Drive NchPch MOSFET

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