VISHAY SIA914ADJ-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V
The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
针脚数 6
漏源极电阻 0.035 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 7.8 W
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
引脚数 6
封装 SC-70
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册