SIA914ADJ-T1-GE3

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SIA914ADJ-T1-GE3概述

VISHAY  SIA914ADJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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Thermally enhanced PowerPAK® package
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Small footprint
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Low ON-resistance
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100% Rg tested
SIA914ADJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 7.8 W

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA914ADJ-T1-GE3
型号: SIA914ADJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA914ADJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 4.5 V

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