SH8M3TB1

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SH8M3TB1概述

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5A,4.5A 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8


贸泽:
MOSFET Nch+Pch 30V/-30V 5A/-4.5A; MOSFET


安富利:
MOSFET; NCH+PCH 30V/-30V 5A/-4.5A SOP8


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 30V SOP8


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8


SH8M3TB1中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 58 mΩ

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

输入电容Ciss 230pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SH8M3TB1引脚图与封装图
SH8M3TB1引脚图
SH8M3TB1封装图
SH8M3TB1封装焊盘图
在线购买SH8M3TB1
型号: SH8M3TB1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
替代型号SH8M3TB1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SH8M3TB1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

SP8M3TB

罗姆半导体

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SH8M3TB1和SP8M3TB的区别

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