SI1034X-T1-GE3

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SI1034X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 10 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 25 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SC-89

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SC-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1034X-T1-GE3
型号: SI1034X-T1-GE3
描述:N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V D-S MOSFET

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