SI3585CDV-T1-GE3

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SI3585CDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.048 Ω

耗散功率 1.4 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3585CDV-T1-GE3
型号: SI3585CDV-T1-GE3
描述:VISHAY  SI3585CDV-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 20 V, 0.048 ohm, 4.5 V, 1.5 V
替代型号SI3585CDV-T1-GE3
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