SI1016X-T1-GE3

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SI1016X-T1-GE3概述

N/P 沟道 20 V 0.41/0.7 Ohm 250 mW 表面贴装 功率 MOSFET - SC-89-6

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R


富昌:
N/P 沟道 20 V 0.41/0.7 Ohm 250 mW 表面贴装 功率 MOSFET - SC-89-6


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1016X-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 485 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 400 mV


SI1016X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.41 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 250 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 485 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-89

外形尺寸

高度 0.6 mm

封装 SC-89

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1016X-T1-GE3
型号: SI1016X-T1-GE3
描述:N/P 沟道 20 V 0.41/0.7 Ohm 250 mW 表面贴装 功率 MOSFET - SC-89-6

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