SI1539CDL-T1-GE3

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SI1539CDL-T1-GE3概述

VISHAY  SI1539CDL-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V

The is a N/P-channel MOSFET designed for use with DC to DC converter and load switch applications.

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Halogen-free
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100% Rg tested

艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R


富昌:
Si1539CDL 系列 30 V 388 mOhm 表面贴装 N 和 P沟道 MOSFET - SOT-363


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1539CDL-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V


SI1539CDL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.323 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 340 mW

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI1539CDL-T1-GE3
型号: SI1539CDL-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1539CDL-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 700 mA, 30 V, 0.323 ohm, 10 V, 1.2 V
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