SI6954ADQ-T1-GE3

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SI6954ADQ-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R


Allied Electronics:
SI6954ADQ-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.1 A, 30 V, 8-Pin TSSOP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 8-Pin TSSOP T/R


富昌:
单通道 N 沟道 30 V 0.053 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSSOP-8


Newark:
# VISHAY  SI6954ADQ-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 3.1 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V


SI6954ADQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.40 A

上升时间 10 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.1 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6954ADQ-T1-GE3
型号: SI6954ADQ-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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