SIB912DK-T1-GE3

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SIB912DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIB912DK-T1-GE3
型号: SIB912DK-T1-GE3
描述:VISHAY  SIB912DK-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 400 mV
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