针脚数 6
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
引脚数 6
封装 SC-75
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SIB912DK-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIB914DK-T1-GE3
威世
类似代替