













VISHAY SI1967DH-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV
The is a dual P-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
欧时:
### 双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
Allied Electronics:
SI1967DH-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 1.1 A, 20 V, 6-Pin SOT-363
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
富昌:
双 P沟道 20 V 490 mOhm 表面贴装 TrenchFET 功率 Mosfet - SC-70-6
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
Newark:
# VISHAY SI1967DH-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual P Channel, -1.3 A, -20 V, 0.64 ohm, -1.8 V, -400 mV
力源芯城:
-20V,-1.3双P沟道MOSFET
针脚数 6
漏源极电阻 0.64 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.25 W
上升时间 27 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1967DH-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1903DL-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI1967DH-T1-GE3和SI1903DL-T1-E3的区别 |