SI9933CDY-T1-GE3

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SI9933CDY-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a -20V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

.
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
SI9933CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.1 W

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 665pF @10VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: SI9933CDY-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI9933CDY-T1-GE3
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