









P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a -20V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC to DC converters and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
针脚数 8
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.1 W
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 665pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4933DY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI9933CDY-T1-GE3和SI4933DY-T1-E3的区别 |
SI9934BDY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI9933CDY-T1-GE3和SI9934BDY-T1-E3的区别 |
SI4913DY-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI9933CDY-T1-GE3和SI4913DY-T1-E3的区别 |