SIA517DJ-T1-GE3

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SIA517DJ-T1-GE3概述

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
SiA517DJ 系列 12 V 0.029 Ohm 表面贴装 N & P 沟道 MOSFET - PowerPAK SC-70-6 双


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 12V 4.5A/4.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA517DJ-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 12 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 400 mV


SIA517DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 6.5 W

阈值电压 400 mV

漏源极电压Vds 12 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

长度 2.15 mm

宽度 2.15 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA517DJ-T1-GE3
型号: SIA517DJ-T1-GE3
描述:MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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