SI4804CDY-T1-GE3

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SI4804CDY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4804CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter and notebook system power applications.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg and UIS tested

e络盟:
VISHAY  SI4804CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
双 30 V 8 A 22 mOhm SO-8 无卤


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4804CDY-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.2 V


SI4804CDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 13 ns

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4804CDY-T1-GE3
型号: SI4804CDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4804CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V
替代型号SI4804CDY-T1-GE3
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