VISHAY SI9933CDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V
The is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter and load switch applications.
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- TrenchFET® power MOSFET
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- 100% Rg and UIS tested
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
Si9933CDY 系列 双 P-沟道 20 V 58 mOhm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI9933CDY-T1-E3 Dual MOSFET, Dual P Channel, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, 12 V, -1.4 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -4.00 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 665pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
高度 1.55 mm
封装 SOIC
工作温度 -50℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15